品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":800,"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0690N1507L
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8775pF@75V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@17A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW11NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@4.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
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输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW11NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@100µA
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包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@4.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":122497}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
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栅极电荷:115nC@10V
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输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
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包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":800,"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0690N1507L
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8775pF@75V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@17A,10V
漏源电压:150V
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库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
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库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
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输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
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输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW11NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@4.6A,10V
漏源电压:900V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
阈值电压:5V@1mA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
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连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
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连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
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连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW11NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@100µA
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连续漏极电流:9.2A
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导通电阻:980mΩ@4.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":122497}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
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栅极电荷:115nC@10V
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
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栅极电荷:115nC@10V
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连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.4V@90µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.4V@90µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":800,"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0690N1507L
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8775pF@75V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@17A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.4V@90µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
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输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":122497}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存: