采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7112DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2250}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7112DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0330DPB-01#J0
工作温度：150℃
功率：55W
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7112DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
