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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C10NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：15.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS4C10NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：15.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS4C10NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：15.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NVTFS4C10NWFTAG
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功率：3W€28W
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输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：15.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NVTFS4C10NWFTAG
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输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：15.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS4C10NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：15.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
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功率：58W
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输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS4C10NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：15.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
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栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
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输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
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功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C10NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：15.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3014SFGQ-7
导通电阻：14.5mΩ@10.4A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：19.3nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：9.5A
功率：1W
包装清单：商品主体 * 1
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