品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NWFAFT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
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输入电容:6100pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
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输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:325W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@25V
连续漏极电流:375A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2900,"20+":619,"22+":1707,"23+":2291}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2900,"20+":619,"22+":1707,"23+":2291}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:325W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@25V
连续漏极电流:375A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":158665,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:325W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@25V
连续漏极电流:375A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2900,"20+":619,"22+":1707,"23+":2291}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: