品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG22N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP220N25NFDAKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7076pF@125V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@61A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP200N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7100pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@64A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R150CFDAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":402}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1010EZS
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA25N50E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800,"9999":48}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP220N25NFDAKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7076pF@125V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@61A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG22N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":402}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1010EZS
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":17139,"15+":459}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI65R150CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R150CFDAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R150CFDAAKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT1404L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€417W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:15A€220A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R150CFDXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":17139,"15+":459}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI65R150CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":18,"22+":2980,"23+":866}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R150CFDXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: