采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP220N25NFDAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7076pF@125V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@61A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04CL
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：50A€316A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010EZPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@51A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：402}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF1010EZS
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@51A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D1N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€153W
阈值电压：4V@210µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5410pF@25V
连续漏极电流：48.8A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800，"9999"：48}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP220N25NFDAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7076pF@125V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@61A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NWFAFT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK764R0-55B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6776pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT210N25NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：402}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF1010EZS
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@51A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010EZPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@51A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04CL
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：50A€316A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST0D9N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：555W
阈值电压：3.5V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：531A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：325W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D1N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€153W
阈值电压：4V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5410pF@25V
连续漏极电流：48.8A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1404L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€417W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：15A€220A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST0D9N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：555W
阈值电压：3.5V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：531A
类型：N沟道
导通电阻：1.07mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
