采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@20V
连续漏极电流：22A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB073N15N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.6V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@75V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@57A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@22.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@20V
连续漏极电流：22A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：31.7A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB073N15N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.6V@160µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@75V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@57A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：198，"MI+"：37}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB073N15N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.6V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@75V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@57A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：31.7A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：31.7A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
