采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1451pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y1R7-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6142pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP74N04YUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5430pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y1R7-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6142pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6661pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S208ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@58A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125C6
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S208ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@58A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-40YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
