采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3490，"23+"：805}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：994980，"22+"：860000，"23+"：19640，"MI+"：115000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：2.1V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：994980，"22+"：860000，"23+"：19640，"MI+"：115000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
