采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB123N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@46µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0855DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD122N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R130C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：102W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC109N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：3.5V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y18-75B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：105W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2173pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4105TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A€40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC159N10LSF G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：9.4A€63A
类型：N沟道
导通电阻：15.9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD122N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0655DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A€40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA94EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA84EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
