品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB123N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC159N10LSF G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.4V@72µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:9.4A€63A
类型:N沟道
导通电阻:15.9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:15A€47A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€63W
阈值电压:2.1V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC159N10LSF G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.4V@72µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:9.4A€63A
类型:N沟道
导通电阻:15.9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€73W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:16.5A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€63W
阈值电压:2.1V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: