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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@530µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1952pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7572S 起订396个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7572S 起订396个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7572S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€46W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2780pF@13V

    连续漏极电流:23A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@23A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N06LS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N06LS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€50W

    阈值电压:2.2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:11A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB8N90CTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB8N90CTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB8N90CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:171W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@25V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.2V@23µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:12A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@20V

    连续漏极电流:29A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N06LS3GATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N06LS3GATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€50W

    阈值电压:2.2V@23µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:11A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS5672 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS5672 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS5672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7262E 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7262E 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7262E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€43W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@30V

    连续漏极电流:21A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.2V@23µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:12A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@20V

    连续漏极电流:29A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6262E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.2V@23µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:12A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.2V@23µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:12A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50R199CPATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50R199CPATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":130,"22+":1000,"23+":9800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB50R199CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:3.5V@660µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:550V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50R199CPATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50R199CPATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":130,"22+":1000,"23+":9800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB50R199CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:3.5V@660µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:550V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N06LS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:12A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@75V

    连续漏极电流:17.2A€70.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N15N5LFATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N15N5LFATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB083N15N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4.9V@134µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@75V

    连续漏极电流:105A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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