包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
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包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
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类型:N沟道
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD8N80K5
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规格型号(MPN):STD8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD11N60DM2
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类型:N沟道
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD11N60DM2
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功率:110W
阈值电压:5V@250µA
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规格型号(MPN):STD11N60DM2
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD11N60DM2
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
导通电阻:420mΩ@5A,10V
输入电容:614pF@100V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
导通电阻:420mΩ@5A,10V
输入电容:614pF@100V
栅极电荷:16.5nC@10V
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