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    类型: N沟道
    栅极电荷: 16nC@10V
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:50+
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    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1446-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€32W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A60W5,S5VX 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A60W5,S5VX 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF12N60M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STF12N60M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF12N60M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:538pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF12N60M2 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF12N60M2 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF12N60M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:538pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF12N60M2 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STF12N60M2 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF12N60M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:538pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€32W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8A50D(STA4,Q,M) 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8A50D(STA4,Q,M) 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK8A50D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€32W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€32W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€32W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€32W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8A50D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8A50D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK8A50D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€32W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€32W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€32W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30A06N1,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH14006NH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q

    阈值电压:4V@200µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    导通电阻:14mΩ@7A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:1.6W€32W

    连续漏极电流:14A

    输入电容:1300pF@30V

    栅极电荷:16nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N60M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N60M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N60M2

    工作温度:150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:538pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N60M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N60M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N60M2

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:9A

    功率:85W

    漏源电压:600V

    输入电容:538pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF12N60M2 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF12N60M2 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF12N60M2

    工作温度:150℃

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    类型:N沟道

    功率:25W

    包装方式:管件

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:9A

    漏源电压:600V

    输入电容:538pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    连续漏极电流:43A

    阈值电压:4V@200µA

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    功率:53W

    输入电容:1050pF@30V

    包装方式:管件

    栅极电荷:16nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8Q65W,S1Q 起订75个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8Q65W,S1Q 起订75个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK8Q65W,S1Q

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.5V@300µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@300V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8A65W,S5X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK8A65W,S5X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK8A65W,S5X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@300µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@300V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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