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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
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输入电容：5400pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
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输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7658ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7658ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7658ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
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输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7658ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7658ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
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输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
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栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7658ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4590pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
