品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-H
工作温度:150℃
功率:1W€19W
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4900}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-W
工作温度:150℃
功率:1W€19W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":53595,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: