采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100B202
工作温度：-55℃~175℃
功率：221W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4476pF@50V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100B202
工作温度：-55℃~175℃
功率：221W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4476pF@50V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：75}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPAFKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.74mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP090N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8225pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：265，"22+"：2102，"23+"：2450}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100B202
工作温度：-55℃~175℃
功率：221W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4476pF@50V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP036N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100B202
工作温度：-55℃~175℃
功率：221W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4476pF@50V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7107-55AIE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.7mA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100B202
工作温度：-55℃~175℃
功率：221W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4476pF@50V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460HPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3208pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100B202
工作温度：-55℃~175℃
功率：221W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4476pF@50V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460HPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3208pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
