采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：589，"17+"：606，"18+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0601DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP60030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：散装
输入电容：7910pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8061pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM60030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7910pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM60030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7910pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R031CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@32.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT017N12NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€395W
阈值电压：3.6V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@60V
连续漏极电流：29A€331A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@150A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M65JFLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7010pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@29A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM60030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7910pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R031CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@32.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R031CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@32.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8061pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R031CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@32.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：589，"17+"：606，"18+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0601DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R031CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@1.63mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@32.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM60030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7910pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP60030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：散装
输入电容：7910pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R031CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@1.63mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@32.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8061pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：589，"17+"：606，"18+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0601DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
