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    漏源电压
    连续漏极电流
    类型: N沟道
    栅极电荷: 35.5nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:8
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK765R3-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:137W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2772pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118 起订526个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118 起订526个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3180}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK765R3-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:137W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2772pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4937NTAG 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4937NTAG 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4937NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€43.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@15V

    连续漏极电流:11A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK765R3-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:137W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2772pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3180}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK765R3-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:137W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2772pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4937NTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4937NTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4937NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€43.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@15V

    连续漏极电流:11A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4937NTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4937NTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4937NTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:11A€75A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2540pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:35.5nC@10V

    功率:860mW€43.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK765R3-40E,118 起订5000个装
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    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3180}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK765R3-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:137W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2772pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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