采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
