采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4510TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3031pF@50V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4510TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3031pF@50V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4510TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@50V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@37A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4510TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@50V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@37A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4510TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3031pF@50V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：940，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@25V
连续漏极电流：11A€58A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4510TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@50V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@37A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：940，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@25V
连续漏极电流：11A€58A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4510TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@50V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@37A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4510TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3031pF@50V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3300ANH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3300ANH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3300ANH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4510TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3031pF@50V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
