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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH4210DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4812pF@13V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH4210DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4812pF@13V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH4210DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4812pF@13V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6894MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€54W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4160pF@13V
连续漏极电流：32A€160A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@33A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1114
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6898MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€78W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@13V
连续漏极电流：35A€213A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：1130pF@15V
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
连续漏极电流：15A
栅极电荷：7.5nC@4.5V
阈值电压：2.1V@100µA
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：1130pF@15V
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
连续漏极电流：15A
栅极电荷：7.5nC@4.5V
阈值电压：2.1V@100µA
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1114
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6898MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€78W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@13V
连续漏极电流：35A€213A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1114
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6898MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€78W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@13V
连续漏极电流：35A€213A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6894MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€54W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4160pF@13V
连续漏极电流：32A€160A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@33A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH4210DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4812pF@13V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH4210DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4812pF@13V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1114
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6898MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€78W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@13V
连续漏极电流：35A€213A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1114
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6898MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€78W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@13V
连续漏极电流：35A€213A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1114
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6898MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€78W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@13V
连续漏极电流：35A€213A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
