品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3506,"22+":2073}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H858NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:623pF@40V
连续漏极电流:8.7A€30A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4408}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDH6N03LAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC079N03SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:14.6A€40A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3000,"21+":20547}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR302NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3000,"21+":20547}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR302NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: