品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23mΩ@8A,10V
输入电容:637pF@20V
漏源电压:40V
栅极电荷:17nC@10V
功率:15W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: