采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002NXAKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：190mA€300mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKMBYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€3.1W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LXHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002NXBKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA€330mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CTC，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C632NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€115W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BK，215
工作温度：150℃
功率：370mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002NXBKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA€330mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：126150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002NXAKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：190mA€300mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：220mW€1.06W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：T2N7002BK，LM
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002NXAKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：190mA€300mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CTC，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
