品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.4W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.4W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.4W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R2K0CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R2K0CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R2K0CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1430}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEBTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€115.4W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:29.7A€174A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€115.4W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:29.7A€174A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R2K0CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€115.4W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:29.7A€174A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.4W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.4W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.4W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1430}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R2K0CEBTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.4W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.4W
阈值电压:3.5V@50µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: