品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1041,"24+":712}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:14A€43A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1041,"24+":712}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: