品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.3A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.3A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.3A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":160500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@75V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@75V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@75V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.3A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@75V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1875,"13+":53000,"9999":25}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.3A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB50CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@40V
连续漏极电流:6.3A€21A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: