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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.4V@39µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R4-40EX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R4-40EX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2781pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R380E6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R380E6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.4V@39µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7678 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7678 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7678

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@15V

    连续漏极电流:17.5A€26A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.4V@39µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R400CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R400CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R400CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:118W

    阈值电压:3.5V@320µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:15.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.4V@39µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB12NM50T4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB12NM50T4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB12NM50T4

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:5V@50µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@6A,10V

    漏源电压:550V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7853TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7853TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7853TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.9V@100µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@25V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7853TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7853TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7853TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.9V@100µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@25V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6N022ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6N022ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6N022ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2421pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.26mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7853TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7853TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7853TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@25V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25NF20 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD25NF20 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25NF20

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014NE2LSIATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC014NE2LSIATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC014NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@12V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ018NE2LSATMA1 起订612个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ018NE2LSATMA1 起订612个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":15987,"23+":2933}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ018NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@12V

    连续漏极电流:23A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-30YLC,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R6-30YLC,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R6-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2435pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.4V@39µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB125A60L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB125A60L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB125A60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2993pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R4-40EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R4-40EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2781pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7853TRPBF 起订8000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7853TRPBF 起订8000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7853TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.9V@100µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@25V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R380C6ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R380C6ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":3263,"13+":12860}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R380C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R400CEAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R400CEAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R400CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:118W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:15.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-60YS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-60YS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@30V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB125A60L 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB125A60L 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB125A60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2993pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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