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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS205NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K361NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.3V@23µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS205NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS205NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K361NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K361NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K361NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
