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    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86324

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280CFD7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280CFD7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4.5V@180µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:807pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN13008NH,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN13008NH,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.3mΩ@9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN13008NH,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN13008NH,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.3mΩ@9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD4NK100Z 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD4NK100Z 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD4NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNFRATL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNFRATL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1255pF@15V

    连续漏极电流:11.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:2.2A€9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD150N06TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD150N06TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD150N06TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR836DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRLPBF 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRLPBF 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3NK100Z 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD3NK100Z 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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