品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9240,"23+":9934}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9240,"23+":9934}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9240,"23+":9934}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9240,"23+":9934}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: