采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1078pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：357mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40N10-30_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1078pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：357mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1513，"23+"：2541}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB013NE2LXIXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@12V
连续漏极电流：36A€163A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@19A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@25V
连续漏极电流：34A€225A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
