采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4295}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：273W
阈值电压：3.8V@202µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：31A€260A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：273W
阈值电压：3.8V@202µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：31A€260A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：20946，"21+"：57791，"22+"：2314，"23+"：2770，"MI+"：18002}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4295}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：273W
阈值电压：3.8V@202µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：31A€260A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：20946，"21+"：57791，"22+"：2314，"23+"：2770，"MI+"：18002}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：273W
阈值电压：3.8V@202µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：31A€260A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：273W
阈值电压：3.8V@202µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：31A€260A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ126EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8095pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
