品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2880,"20+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:12A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:12A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:12A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:12A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:12A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS011N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:3.5V@20µA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:13A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: