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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@120µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13150pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：80，"19+"：250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13150pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@120µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13150pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@120µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13150pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@30V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
