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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：93000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：93000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
