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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
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输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
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输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
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输入电容：1515pF@50V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
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输入电容：2100pF@15V
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
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输入电容：1515pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
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输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
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输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
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连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
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连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
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输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
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输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：1.6W€44W
输入电容：2100pF@15V
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
栅极电荷：21nC@10V
阈值电压：2.3V@300µA
连续漏极电流：47A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
规格型号(MPN)：FDMC86183
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1515pF@50V
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：47A
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
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栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
