采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB027N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020NE7N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@273µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14400pF@37.5V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB027N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020NE7N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@273µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14400pF@37.5V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020NE7N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@273µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14400pF@37.5V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2086，"22+"：4450，"23+"：7228}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N08N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2086，"22+"：4450，"23+"：7228}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB027N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB025N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14800pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
