采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y72-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y72-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y72-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y72-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y72-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y72-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：53595，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y72-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y72-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y72-80EX
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
输入电容：633pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：9.8nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：72mΩ@5A，10V
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
