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    类型: N沟道
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

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    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

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    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    类型:N沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

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    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

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    功率:2.4W€13W

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    输入电容:135pF@50V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@10V

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    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

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    栅极电荷:6.5nC@10V

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    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD4N20TM 起订1307个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD4N20TM 起订1307个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2370,"21+":6804}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD4N20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@10V

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    输入电容:160pF@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@10V

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    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD4N20TM 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD4N20TM 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2370,"21+":6804}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD4N20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6002END3TL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:65pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6002END3TL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:65pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6002END3TL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6002END3TL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:65pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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