采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：832，"22+"：9000，"23+"：2250，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
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功率：3.3W€180W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
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连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：832，"22+"：9000，"23+"：2250，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
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输入电容：22610pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
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输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：832，"22+"：9000，"23+"：2250，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
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输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：832，"22+"：9000，"23+"：2250，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：149}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€180W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A€423A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
功率：375W
连续漏极电流：120A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
功率：375W
连续漏极电流：120A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050ET30
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：3V@750µA
类型：N沟道
连续漏极电流：55A€423A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
功率：3.3W€180W
ECCN：EAR99
输入电容：22610pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
