品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4498
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4498
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4498
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:79W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€89W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2456pF@20V
连续漏极电流:16A€96A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:16A€96A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
输入电容:2456pF@20V
栅极电荷:44.5nC@10V
功率:2.6W€89W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:16A€96A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
输入电容:2456pF@20V
栅极电荷:44.5nC@10V
功率:2.6W€89W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:16A€96A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@16A,10V
输入电容:2456pF@20V
栅极电荷:44.5nC@10V
功率:2.6W€89W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4498
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: