采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8289pF@30V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3554}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23213，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8289pF@30V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8289pF@30V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3900，"23+"：823578，"24+"：171702}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8289pF@30V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23213，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3554}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3554}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3900，"23+"：823578，"24+"：171702}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S51R2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS5352
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6940pF@30V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@13.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
