采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0350120J-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.8W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@1000V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：455mΩ@3.6A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R030M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@11.5mA
栅极电荷：63nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@800V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@25A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：321，"23+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0160120J-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@2.33mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@1000V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：208mΩ@8.5A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：5.7V@1.6mA
栅极电荷：9.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：312pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：294mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
阈值电压：4.3V@20mA
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14，"22+"：42}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0160120J-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@2.33mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@1000V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：208mΩ@8.5A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
