采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB390N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD33CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@50V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ416EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2759，"23+"：5719，"24+"：1322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD33CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@50V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：3129}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R125P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：111W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：833，"23+"：1282，"MI+"：8934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：833，"23+"：1282，"MI+"：8934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14136}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB29N08T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，11V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14136}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB29N08T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，11V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ416EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：3200，"04+"：16828}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB27N06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：88.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@13.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB390N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
