品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07113
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:807pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509ENJTL
工作温度:150℃
功率:94W
阈值电压:4V@230µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R360P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":25000,"23+":2500,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R650CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055-150T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R360P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:7W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@4.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R360P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:7W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R360P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD95R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:73W
阈值电压:3.5V@220µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:712pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: