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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07113 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07113 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI07113

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4040pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280CFD7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280CFD7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4.5V@180µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:807pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD6N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@3A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R360P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R360P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R360P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订394个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订394个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":25000,"23+":2500,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R650CEATMA1 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN50R650CEATMA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN50R650CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@150µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD12N20LTM-F085 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055-150T4G-VF01 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055-150T4G-VF01 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD3055-150T4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB11EN,115 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB11EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R360P7SATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R360P7SATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R360P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:4V@140µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@4.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020UFCL-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020UFCL-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:21.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1788pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD6N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@3A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R360P7SATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R360P7SATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R360P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R360P7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R360P7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R360P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R750P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R750P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD95R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73W

    阈值电压:3.5V@220µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:712pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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