采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@75V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@38A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
