采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2633}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7831TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065L-TR
工作温度：-40℃~175℃
功率：86W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7862TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4090pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5832NLWFT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€127W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R125CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC0310AS-F127
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R099C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7862TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4090pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€63W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
