采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@13A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@13A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M45-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：317pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB21N06LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB21N06LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@13A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M45-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：317pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@13A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19N20-90-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M45-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：317pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4050EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2406pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M45-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：317pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
